特許
J-GLOBAL ID：200903054647524840
半導体およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162704
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153689
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い結晶性珪素膜を用いたTFTを得る。【構成】 基板11上の下地膜12上に島状に形成された非晶質珪素膜13と酸化珪素膜14とを形成し、その上から珪化ニッケル膜15を成膜する。そして加熱処理することによりニッケルシリサイドを16の部分に形成し、その後珪化ニッケル膜15を取り除く。そして、熱アニールすることによって、17で示すような基板に平行な方向への結晶成長を行わせ、結晶性珪素膜を得る。そしてこの結晶性珪素膜を利用してTFTを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、パターニングを行ない前記非単結晶半導体膜と絶縁膜とからなる島状の積層を形成する工程と、結晶化を助長する金属元素を含む膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜の側面から結晶化を行う工程と、を有する半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
