特許
J-GLOBAL ID：200903054654419564
窒化アルミニウム基板のメタライズ方法、窒化アルミニウム基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坪内 康治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180169
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007478
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【課題】 熱伝導を良好に保ちながら金属との密着性を高める。【解決手段】 真空チャンバ内の試料台に窒化アルミニウム基板1の表面を下向きに吊持し、真空チャンバ内を10-6torrの気圧とし、酸素ガスを基板表面に沿って横から供給する。波長197nm、パルス発振形式のArFエキシマレーザを窒化アルミニウム基板1の表面に対し斜め下から照射する。このとき、レーザビームを可動ミラーに反射させて、スポット位置を可変とする。1スポット当たり、150ショットだけ照射しながら可動ミラーを可動させてスポット位置を変え、所望領域全体にレーザを照射する。レーザビームの照射で、均質な酸化層が形成される。この窒化アルミニウム基板に厚膜メタライズ法等で電極金属をメタライズすると、酸化層の形成された箇所には良好な密着性が得られる。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム基板の表面にメタライズ膜を形成する際、予め、窒化アルミニウム基板のメタライズ膜を形成する面に、Al-Nの結合を解離可能な波長成分を有する光を照射するとともに酸素を与えることで厚さが1nm以上で100nmより小さい酸化層を形成しておくようにしたこと、を特徴とする窒化アルミニウム基板のメタライズ方法。
IPC (4件)：
C04B 41/88
, C04B 35/581
, H05K 1/09
, H05K 3/12
C04B 41/88 M
, H05K 1/09 C
, H05K 3/12 B
, C04B 35/58 104 Z
