特許
J-GLOBAL ID：200903054657829046
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136694
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321225
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】複数の機能ユニットにノイズに弱い機能ユニットが混在していても、ノイズの影響を受けにくくすると同時に、静電破壊に強くする半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】ノイズを発生する第1の機能ユニット2と、ノイズに弱い第2の機能ユニット3と、これら機能ユニット2,3のそれぞれに対応する電源パッドVDDおよび接地パッドGNDと、これらの機能ユニット2,3のそれぞれの電源パッドVDD,接地パッドGND間に接続する通常オフのNMOSN1〜N3もしくはPMOSと、これらのMOSのゲートおよびソースもしくはドレイン間に接続する保護抵抗素子R1〜R3とを有し、高電圧の印加時にのみNMOSN1〜N3あるいはPMOSをオンさせてバイパス経路を作る。
請求項（抜粋）：
ノイズを発生する第1の機能ユニットと、ノイズに弱い第2の機能ユニットと、前記第1および第2の機能ユニットのそれぞれに対応する電源パッドおよび接地パッドと、前記第1および第2の機能ユニットのそれぞれの前記電源パッドおよび前記接地パッド間に接続する通常オフのNMOSもしくはPMOSと、前記NMOSもしくはPMOSのゲートおよびソースもしくはドレイン間に接続する保護抵抗素子とを有し、高電圧の印加時にのみ前記NMOSあるいはPMOSをオンさせてバイパス経路を作ることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 23/58
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H03K 19/003
H01L 27/04 H
, H03K 19/003 Z
, H01L 23/56 C
, H01L 27/08 321 H
