特許

J-GLOBAL ID：200903054658817963

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 松本 信一 ,  野口 悦男 ,  小高 勇 ,  脇田 紘一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280132
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121722
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザの共振器が結晶方位として順メサストライプ方向に形成された高抵抗層埋め込み構造の半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の半導体発光装置は少なくとも、第1の導電型を有する半導体基板の(100)面上に設けられた活性層と該活性層上に設けられた第2の導電型を有するクラッド層とからなり、第1のメサストライプ領域と、該第1のメサストライプの両側部に設けられ、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層と、前記第1のメサストライプ領域の両側部に設けられ、少なくとも表面に絶縁体が被覆された断面V字型の溝とを含み、該V字型の溝と前記第1のメサストライプ領域との間には前記電流阻止層が介在している。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1の導電型を有する半導体基板の(100)面上に設けられた活性層と該活性層上に設けられた第2の導電型を有するクラッド層とからなり、【外1】に沿って配置された第1のメサストライプ領域と、該第1のメサストライプの両側部に設けられ、半絶縁性高抵抗半導体からなる電流阻止層と、前記第1のメサストライプ領域の両側部に設けられ、少なくとも表面に絶縁体が被覆された断面V字型の溝とを含み、該V字型の溝と前記第1のメサストライプ領域との間には前記電流阻止層が介在していることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01L 27/15 ,  H01S 3/18 ,  H01L 33/00