特許
J-GLOBAL ID：200903054661825110
電界放出型冷陰極装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222246
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087958
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 電界放出電圧が低く且つ効率が高い電界放出型冷陰極装置と、それを均一性、再現性よくしかも短時間で生産性よく製造する方法を提供する。【構成】 Si単結晶基板11に、底に平坦な若しくは湾曲する底部32を有する逆ピラミッド形状の穴12を設ける。次に基板11を熱酸化し、底部32の幅の約1.5倍の厚さを有するSiO2 絶縁層13を穴12の内外に形成する。次に、穴12を埋めるように絶縁層13上にエミッタ材料層14を形成する。次に、エミッタ材料層14側にガラス基板17を接合した後、Si基板11をエッチングにより除去し、絶縁層13を露出させる。絶縁層13上にゲート電極層19を形成した後、エミッタ材料層14の凸部18の先端が露出するように、絶縁層13及びゲート電極層19の一部を除去して、エミッタ44を形成する。
請求項（抜粋）：
側面が底に向かって収束する形状をなし且つ側面から底にかけて平坦な若しくは湾曲する穴を第1基板の主表面に形成する工程と、前記第1基板の前記主表面を酸化し、前記穴の内部を含む前記主表面上を覆うように酸化絶縁層を形成する工程と、前記穴を埋めるように、前記絶縁層上にエミッタ材料層を形成する工程と、前記第1基板に対して、前記エミッタ材料層が介在するように第2基板を接合する工程と、前記第1基板をエッチングにより除去し、前記穴内に充填された前記エミッタ材料で形成された凸部を内部に含む前記絶縁層を露出させる工程と、前記絶縁層上にゲート電極層を形成する工程と、前記凸部の先端部が露出するように、前記ゲート電極層及び前記絶縁層の一部を除去しエミッタを形成する工程と、を具備することを特徴とする電界放出型冷陰極装置の製造方法。
IPC (2件)：
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