特許
J-GLOBAL ID：200903054664193009

量子ドット量子コンピュータ素子

発明者：
大島 利雄

大島 利雄 について

, 
杉山 芳弘

杉山 芳弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326378
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144283
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 量子ドット量子コンピュータ素子に関し、単一の電子の導入が可能な量子ドットを用いた量子コンピュータ素子を提供する。【解決手段】 第1の半導体層1、第2の半導体材料からなる量子ドット2、第4の半導体材料からなるトンネルバリア層3、第3の半導体材料からなる量子井戸層4を順次積層させるとともに、量子井戸層4の価電子帯のエネルギーを量子ドット2の正孔の基底準位6より高くし、且つ、量子井戸層4の伝導帯エネルギーを量子ドット2の電子の基底準位7より高くし、また、トンネルバリア層3の価電子帯上端のエネルギーを量子ドット2の正孔の基底準位6より低くし、且つ、トンネルバリア層3の伝導帯エネルギー下端を量子井戸層4の電子の基底準位8より高くする。
請求項（抜粋）：
量子2準位系及び前記量子2準位系が集合した系の量子状態を情報とし、量子状態のコヒーレントなユニタリ発展を演算過程とする量子ドット量子コンピュータ素子において、第1の半導体層、第2の半導体材料からなる量子ドット、第4の半導体材料からなるトンネルバリア層、第3の半導体材料からなる量子井戸層を順次積層させた積層構造からなるとともに、前記量子井戸層の価電子帯のエネルギーを前記量子ドットの正孔の基底準位より高くし、且つ、量子井戸層の伝導帯エネルギーを量子ドットの電子の基底準位より高くし、また、前記トンネルバリア層の価電子帯上端のエネルギーを前記量子ドットの正孔の基底準位より低くし、且つ、トンネルバリア層の伝導帯エネルギー下端を量子井戸層の電子の基底準位より高くしたことを特徴とする量子ドット量子コンピュータ素子。
IPC (4件)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/205
Fターム (7件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 量子機能素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080396   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (1件)
  • 量子機能素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080396   出願人：ソニー株式会社
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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