特許
J-GLOBAL ID：200903054677557247
半導体装置の電極構造とその形成方法ならびに実装体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296247
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151437
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】半導体装置と回路基板とを容易に、かつ信頼性高く接続することができる半導体装置の電極構造とその形成方法ならびに実装体を提供する。【構成】半導体装置のIC基板1の電極パッド2上に先端部に凹凸面が形成された突起電極6が備えられる。突起電極6の先端部の凹凸面に接合層7が形成され、上記半導体用電極が接合層7を介して回路基板8上の端子電極9に接合される。【効果】突起電極6の先端部の凹凸面により接合強度が増加し、信頼性の高い接合が実現できる。
請求項（抜粋）：
フェースダウンで回路基板に実装される半導体装置の電極構造であって、半導体装置の電極パッド部上に形成された突起電極は先端部に凹凸面を有することを特徴とする半導体装置の電極構造。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
