紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297191
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123969
出願日： 2007年11月15日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】六方晶系の非極性面(a面、m面)または半極性面で結晶成長させたAlGaN混晶と、活性層に用いたAlGaN結晶のAlNとGaNのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。【解決手段】m面基板10と、m面基板上に配置され,n型不純物をドープされたAlGaN層(12,14)と、AlGaN層上に配置され,AlXGa1-XN障壁層とAlYGa1-YN井戸層からなる量子井戸構造を有するAlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層16と、AlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層上に配置され,p型不純物をドープされたAlGaN層(18,20)とを備え、c軸が結晶成長の主面の法線方向から40°〜90°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Eが主にc軸と平行(E//c)なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

m面基板と、前記m面基板上に配置され,n型不純物をドープされたAlGaN層と、前記AlGaN層上に配置され,AlXGa1-XN(0≦x≦1)障壁層とAlXGa1-XN(0≦x≦1)井戸層からなる量子井戸構造を有するAlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層と、前記AlXGa1-XN/AlXGa1-XN活性層上に配置され,p型不純物をドープされたAlGaN層とを備え、 c軸が結晶成長の主面の法線方向から40°〜90°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Eが主にc軸と平行(E//c)なる偏光特性を示すことを特徴とする紫外線窒化物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 , H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/203

FI (4件)：

H01S5/343 610 , H01L33/00 C , H01L21/205 , H01L21/203

Fターム (59件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EF02 , 5F045EK06 , 5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB05 , 5F103BB07 , 5F103BB33 , 5F103BB42 , 5F103BB55 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103KK10 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103PP12 , 5F103RR10 , 5F173AA08 , 5F173AF15 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AH45 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AK22 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP84 , 5F173AQ16 , 5F173AR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-015588 出願人：シャープ株式会社, 国立大学法人山口大学
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-356768 出願人：松下電工株式会社

審査官引用 (1件)

半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-038138 出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Applied Physics Letters, 20070221, p.81104

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