特許

J-GLOBAL ID：200903054681647420

半導体気相成長装置

発明者： 石川 秀人 ,  山本 直 ,  今西 大介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199814
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体気相成長装置のより一層の操作、制御の簡便性の向上を図り、装置の配置のレイアウトを簡略化し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図る。【解決手段】 原料供給室1と、原料供給量制御室2と、反応室3と、排気圧力制御室4と、排ガス処理室5の各小区割室からなる半導体気相成長装置において、各小区割室を、それぞれ排気可能な個別小区割室とする。

請求項（抜粋）：

原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室を有し、上記原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小区割室からなることを特徴とする半導体気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/54

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 E ,  C23C 16/54

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 常圧CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345638   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 特開平2-111017