特許

J-GLOBAL ID：200903054682152859

スパッタリングターゲット盤

発明者： 高橋 佳智 ,  和田 宏明 ,  佐藤 朗
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231572
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061394
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】 各種電子デバイス部品に好適な高純度の薄膜を形成しうるスパッタリング処理に適する、機械的特性及び電気的特性に優れ、また偏摩耗に対する耐久性が良好な、スパッタリングターゲット盤を提供する。【解決手段】 密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成されたことを特徴とする。この炭化ケイ素焼結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであることが好ましく、炭化ケイ素焼結体に含まれる不純物元素の総含有量が1ppm以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成されたことを特徴とするスパッタリングターゲット盤。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/565

FI (2件)：

C23C 14/34 A ,  C04B 35/56 101 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-128369
  
• 特開平2-199065
  
• 特開昭60-108370