特許

J-GLOBAL ID：200903054687200118

エッチング方法および半導体装置の製造方法

発明者： 山本 清二 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  持地 広造 ,  ▲高▼澤 浩幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055492
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263383
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】組成の異なる半導体間のエッチング選択比を高く維持したまま、素子に損傷を与えることなく、異方性の高いエッチングを行うエッチング方法と、これを用いた半導体装置の製造方法とを実現する。【構成】分子線バルブ106,107より複数のエッチャントガス(Cl2111,O2112)を導入する真空槽103の中に被エッチング半導体試料101を設置し、その表面にエキシマレーザ107から放射されたレーザ光108を照射し、該レーザ光108の強度を調節して光励起選択エッチングを行う。

請求項（抜粋）：

エッチャントガス雰囲気のもとで光を試料表面に照射し、表面反応を誘起して組成の異なる半導体をエッチングするエッチング方法において、複数のガスを混合したエッチャントガスを用い、上記半導体を選択的にエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (7件)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (5件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H