特許

J-GLOBAL ID：200903054690669577

薄膜形成装置及び薄膜形成方法

発明者： 芦田 純生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092596
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】より高性能の薄膜を提供し、またはより高性能の薄膜製造または加工装置を提供し、さにはより高性能の薄膜応用装置を提供することを目的とする。【解決手段】誘導結合プラズマを用いて膜を堆積あるいはエッチングする方法および装置で、プラズマ励起にもちいるコイルを同軸二重とし、プラズマ励起電力を芯線に、DCバイアス電圧を外被に印加する。

請求項（抜粋）：

原料気体を収容可能な密閉容器と、この密閉容器内に形成され被試料を固定するホルダーと、前記密閉容器内に形成され高周波電力の供給が可能な第1の電極と、この第1の電極を覆い且つ前記密閉容器内に形成され浮遊電位あるいは定電位が印加可能な第2の電極とを有することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 C