半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052182
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268172
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、フィン構造のキャパシタ部を有する半導体装置に関するもので、フィン構造のひさし部のつけ根部の角が急峻なため、リーク電流の増加をきたすという問題点を解消することを目的とする。【構成】本発明は、前記フィン構造(8、13)のひさし部の下部つけ根部21の角をテーパ状あるいは丸みをおびた形状にしたものであり、そのための製法として、セルコンタクト形成のための開口を等方性エッチングと異方性エッチングで行なう方法、あるいは犠牲絶縁膜を形成してその開口部の側壁にサイドウォールを形成する方法などで行なう。

請求項（抜粋）：

上部電極(セルプレート)と下部電極(ストレージノード)との間に誘電体膜が挟まれており、かつフィン構造となっているキャパシタ部を有する半導体装置において、該フィン構造のひさし状の部分の下部つけ根部の角がテーパ状になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-326571
特開昭60-015399
特開平4-058558

全件表示

前のページに戻る