特許

J-GLOBAL ID：200903054694161934

トレンチ素子分離構造およびその形成方法

発明者： 片岡 豊▲隆▼
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124576
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307382
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 後の熱処理工程において素子分離性能が低下することのないトレンチ素子分離構造およびその形成方法を提供すること。【構成】 半導体基体11に形成した溝12内に絶縁層を埋込んでなるトレンチ素子分離構造において、上記絶縁層は、半導体基体11と熱膨張係数を略等しくすることが可能な酸窒化シリコン層13からなるようにする。このことによって、後の熱処理工程によって半導体基体11と酸窒化シリコン層13との界面に応力が生じ難くくなり、界面における結晶欠陥の発生が少なくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基体に形成した溝内に絶縁層を埋込んでなるトレンチ素子分離構造において、前記絶縁層は、酸窒化シリコン層からなることを特徴とするトレンチ素子分離構造。