特許
J-GLOBAL ID：200903054694813672
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070939
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260497
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極とコンタクトホールとの合わせ余裕寸法を狭めてもリーク電流が発生する恐れのない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置を構成するシリコン基板上に形成されたゲート電極2上に二酸化シリコン膜5を形成し、次に、上記二酸化シリコン膜5上にポリシリコン膜を成膜し、これを用いてサイドウオール壁を形成し、次に、上記半導体装置の上面に層間絶縁膜8を形成し、次に、上記層間絶縁膜8上の一部にコンタクトホール9を開孔し、次に、上記コンタクトホール9内に露出しているサイドウオール壁の一部を酸化して二酸化シリコンサイドウオール壁10を形成することにより、露光装置のアライメント精度によるズレが生じたり、上記ゲート電極3と上記コンタクトホール9との合わせ余裕寸法が減少したりしても、リーク電流が発生しないようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を形成し、次に、上記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、次に、上記ゲート酸化膜下の上記半導体基板表面近傍に上記半導体基板とは逆導電型の一対の低濃度拡散層を形成する第一の工程と、上記第一の工程の後、上記ゲート酸化膜及びゲート電極上に二酸化シリコン膜を形成し、次に、上記二酸化シリコン膜上にポリシリコン膜を成膜する第二の工程と、上記第二の工程の後、上記ポリシリコン膜よりサイドウオール壁を形成し、次に、上記一対の低濃度拡散層のそれぞれの外側脇に、上記半導体基板表面近傍に上記半導体基板とは逆導電型の一対の高濃度拡散層を形成する第三の工程と、上記第三の工程の後、上記半導体装置上に層間絶縁膜を形成し、次に、上記層間絶縁膜上の一部から上記第一導電型半導体基板表面に至るまでコンタクトホールを開孔する第四の工程と、上記第四の工程の後、上記コンタクトホール内に露出しているサイドウオール壁の一部を酸化し、二酸化シリコンサイドウオール壁を形成する第五の工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/90
, H01L 29/62
