特許

J-GLOBAL ID：200903054701876502

欠陥評価装置およびその方法並びに半導体の製造方法

発明者： 武田 一男 ,  大倉 理 ,  磯前 誠一 ,  簑和 恭子 ,  前嶋 宗郎 ,  松井 繁 ,  松田 安司 ,  清水 博文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264512
公開番号（公開出願番号）：特開平11-101624
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】欠陥のサイズと深さ位置との関係を明らかにできるようにした欠陥評価装置およびその方法並びに半導体の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、固体1の表面に複数の波長の光λ1、λ2を照射し、少なくともその固体中の欠陥から散乱光を検出することによって固体内部欠陥を評価する装置において、上記固体への侵入深さが異なる少なくとも2つの波長の照射光を照射する照射光学系15a、15bと、該照射光学系によって照射された少なくとも2つの波長の照射光によって発生する欠陥からの波長の短い方の散乱光強度と波長の長い方の散乱光強度とを検出する検出光学系16と、該検出光学系によって検出された波長の短い方の散乱光強度と波長の長い方の散乱光強度とを用いて欠陥のサイズに対応する値と欠陥の深さに対応する値とを算出する算出手段17と、該算出手段で算出された欠陥サイズに対応する値と欠陥深さに対応する値とに基づいて欠陥のサイズと欠陥の深さとの関係を示す分布を表示する表示手段20とを備えたことを特徴とする欠陥評価装置およびその方法である。

請求項（抜粋）：

固体表面に複数の波長の光を照射し、少なくともその固体中の欠陥から散乱光を検出することによって固体内部欠陥を評価する装置において、上記固体への侵入深さが異なる少なくとも2つの波長の照射光を照射する照射光学系と、該照射光学系によって照射された少なくとも2つの波長の照射光によって発生する欠陥からの波長の短い方の散乱光強度と波長の長い方の散乱光強度とを検出する検出光学系と、該検出光学系によって検出された波長の短い方の散乱光強度と波長の長い方の散乱光強度とを用いて欠陥のサイズに対応する値と欠陥の深さに対応する値とを算出する算出手段と、該算出手段で算出された欠陥サイズに対応する値と欠陥深さに対応する値とに基づいて欠陥のサイズと欠陥の深さとの関係を示す分布を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする欠陥評価装置。

IPC (4件)：

G01B 11/30 ,  G01B 11/22 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01B 11/30 D ,  G01B 11/22 Z ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L