特許
J-GLOBAL ID:200903054711967336

グラファイトからダイヤモンドを成長させる方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-144609
公開番号(公開出願番号):特開平9-099231
出願日: 1996年06月06日
公開日(公表日): 1997年04月15日
要約:
【要約】【課題】 本発明は人工ダイヤモンドの生成に関し、更に具体的にはグラファイトからダイヤモンドを成長させる方法に関する。【解決手段】 グラファイトに高圧力を負荷し、所定温度まで加熱し次に冷却してグラファイトからダイヤモンドを成長させる方法は、ダイヤモンドが成長する全工程あいだ圧力を維持する高圧力チャンバーにグラファイトを配置し、ダイヤモンド透過領域の波長を有するパルス周期レーザー放射線をグラファイトに照射して、グラファイト表皮層にレーザー放射線のパルスを吸収させかつ吸収レーザー放射線パルスで表皮層領域のグラファイトをダイヤモンドへの相変態温度まで加熱し、生成されるダイヤモンド層を冷却し、レーザー放射線のパルスでその下のグラファイト層の加熱する工程とダイヤモンド層を冷却する工程をダイヤモンドへのグラファイトの変態完了まで次々に繰り返す。
請求項(抜粋):
グラファイトに高圧力を負荷すること、所定温度まで加熱すること、且つ次に冷却することにより前記グラファイトからダイヤモンドを成長させる方法であって、前記ダイヤモンドが成長する全工程のあいだ圧力を維持する高圧力チャンバーに前記グラファイトを配置する工程、ダイヤモンド透過領域の波長を有するパルス周期レーザー放射線を前記グラファイトに照射して、前記グラファイトの表皮層にレーザー放射線のパルスを吸収さかつ前記吸収レーザー放射線のパルスで表皮層領域の前記グラファイトをグラファイトからダイヤモンドへの相変態温度まで加熱する工程、生成されるダイヤモンド層を冷却する工程、そして前記レーザー放射線のパルスでその下のグラファイト層を加熱する工程と、次に、前記層を冷却する工程とを前記ダイヤモンドへの前記グラファイトの変態完了まで次々に繰り返す工程、を含むことを特徴とするグラファイトからダイヤモンドを成長させる方法。

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