特許
J-GLOBAL ID：200903054712388577
逆スタッガ型TFTの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151460
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 逆スタッガ型TFTの製造方法に関し、活性層の厚さと特性の制御性の向上を目的とする。【構成】 耐熱性透明基板(1)の上にゲート電極(2)をパターン形成したる後、基板(1)の上にゲート絶縁膜(3),a-Si活性層(4),n+ a-Si層(5),金属電極層(7)と順次に層形成を行い、次に、a-Si活性層(4)に達するまで、金属電極層(7)とn+ a-Si層(5)をエッチングして、ドレイン電極(8)とソース電極(9)を形成する逆スタッガ型TFTの製造工程において、金属電極層(7)をn+ a-Si層(5)に達するまで選択エッチングして、ドレイン電極(8)とソース電極(9)を形成した後、ドレイン電極(8)とソース電極(9)を陽極として陽極酸化を行い、露出しているn+ a-Si層(5)を絶縁層とすることを特徴として逆スタッガ型TFTの製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
耐熱性透明基板(1)の上にゲート電極(2)をパターン形成したる後、該基板(1)の上にゲート絶縁膜(3),a-Si活性層(4),n+ a-Si層(5),金属電極層(7)と順次に層形成を行い、次に、前記のa-Si活性層(4)に達するまで、金属電極層(7)とn+ a-Si層(5)をエッチングして、ドレイン電極(8)とソース電極(9)を形成する逆スタッガ型TFTの製造工程において、前記金属電極層(7)をn+ a-Si層(5)に達するまで選択エッチングして、ドレイン電極(8)とソース電極(9)を形成した後、該ドレイン電極(8)とソース電極(9)を陽極として陽極酸化を行い、露出しているn+ a-Si層(5)を絶縁層とすることを特徴とする逆スタッガ型TFTの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/31
, H01L 21/316
