特許
J-GLOBAL ID：200903054712498232
II-VI族化合物半導体単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199507
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225392
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 原料多結晶からの昇華ガスの組成のずれが成長室内に蓄積されることを防止して結晶成長速度をできるだけ一定に保持し、II-VI族化合物半導体単結晶を安定して成長させる方法を提供しようとするものである。【解決手段】 封管中に管径を細めた拡散制限部を配置して成長室とガス漏洩室を設け、前記成長室の拡散制限部側に原料多結晶を、他端に種結晶を配置し、前記封管中に不活性ガスを封入した後、種結晶を結晶成長温度に、原料多結晶を昇華温度に、拡散制限部を昇華温度以上に、ガス漏洩室の温度を成長室より低く保持しながら、種結晶上にII-VI族化合物半導体単結晶を成長する方法である。
請求項（抜粋）：
封管中に管径を細めた拡散制限部を介して成長室とガス漏洩室を接続し、前記成長室の拡散制限部側に原料多結晶を、他端に種結晶を配置し、前記封管中に不活性ガスを封入した後、種結晶を結晶成長温度に、原料多結晶を昇華温度に、前記拡散制限部を前記昇華温度以上に、ガス漏洩室を成長室より低い温度に保持しながら、種結晶上に単結晶を成長することを特徴とするII-VI族化合物半導体単結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 23/00
, C30B 29/48
, H01L 21/203
, H01L 21/363
C30B 23/00
, C30B 29/48
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/363
