特許
J-GLOBAL ID：200903054717376828
化合物半導体結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233847
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084805
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】V族元素が主にリンからなる III-V族化合物半導体結晶層とV族元素が主にヒ素からなる III-V族化合物半導体結晶層とを含む少なくとも2種の III-V族化合物半導体結晶層が表面に形成されている結晶基板上に、 III-V族化合物半導体結晶を結晶成長する方法に関し、結晶基板上に結晶表面のリン原子とヒ素原料または結晶表面のヒ素原子とリン原料との置換反応が発生しないようにして良好な結晶性を有する III-V族化合物半導体結晶を結晶成長する方法を提供することを目的とする。【構成】結晶基板上に、第1の結晶成長温度で III-V族化合物半導体結晶よりなるコーティング薄膜を形成し、このコーティング薄膜上に、第1の結晶成長温度より高い第2の結晶成長温度で III-V族化合物半導体結晶を結晶成長するようにする。
請求項（抜粋）：
V族元素が主にリンからなる III-V族化合物半導体結晶層とV族元素が主にヒ素からなる III-V族化合物半導体結晶層とを含む少なくとも2種の III-V族化合物半導体結晶層が表面に表出されてなる結晶基板上に、表出する該 III-V族化合物半導体結晶層よりV族元素が実質的に脱離しない程度の第1の結晶成長温度で III-V族化合物半導体結晶よりなるコーティング薄膜を形成し、該コーティング薄膜上に、前記第1の結晶成長温度より高い第2の結晶成長温度で III-V族化合物半導体結晶を結晶成長することを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01S 3/18
