特許

J-GLOBAL ID：200903054724401790

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 二ツ山 幸樹 ,  原 一都 ,  恩田 正一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078291
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264794
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶層のうねりや反りを抑制し、炭化珪素単結晶の結晶性を良好にする。【解決手段】 珪素基板1の上に炭化珪素単結晶層2を形成したのち、この炭化珪素単結晶層2の上に、該炭化珪素単結晶層2の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層3を形成する。そして、表面荒れ層3の表面が接触するように、表面荒れ層3と炭化珪素単結晶層2及び珪素基板1を台座4に載置する。この後、珪素基板1を除去する。このように、炭化珪素単結晶層2の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層3を形成し、この表面荒れ層3側を台座4に接触させるようにすると、表面荒れ層3と台座4との間に溶融された珪素基板1の珪素が入り込んだときに、溶融した珪素の表面張力の基点が分散され、表面荒れ層3の全面に均一に分布する。よって、炭化珪素単結晶層2のうねりを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

台座(4)上に配置された炭化珪素単結晶層(2)を種結晶として、該種結晶上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、半導体基板(1)を用意し、該半導体基板上に炭化珪素単結晶層を形成する工程と、前記炭化珪素単結晶層上に、該炭化珪素単結晶層よりも結晶表面の凹凸が大きな表面荒れ層(3)を形成する工程と、前記表面荒れ層の表面が接触するように、前記表面荒れ層と前記炭化珪素単結晶層及び前記半導体基板を前記台座に載置する工程と、前記表面荒れ層を前記台座に貼り付ける工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00 A

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077DB12 ,  4G077DB21 ,  4G077ED06 ,  4G077FE10 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77