単結晶膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176012
公開番号（公開出願番号）：特開平8-012490
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：

【要約】【目的】電気光学定数と屈折率差が大きい単結晶膜を得る。【構成】単結晶基板あるいは薄膜が形成された単結晶基板との屈折率差が、常光線および異常光線に対して5/100以上である単結晶薄膜の製造方法であって、単結晶基板あるいは薄膜が形成された単結晶基板の上に、製造しようとする単結晶膜と同物質から成るバッファー層を形成した後、液相エピタキシャル法により単結晶膜を形成することを特徴とする単結晶膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

単結晶基板との屈折率差が、常光線および異常光線に対して5/100以上である単結晶膜の製造方法であって、単結晶基板の上に、製造しようとする単結晶膜と同物質から成るバッファー層を形成した後、液相エピタキシャル法により単結晶膜を形成することを特徴とする単結晶膜の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 19/12 , C30B 23/02 , C30B 29/30 , G02B 6/13 , H01S 3/10

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