半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109984
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307766
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】接合深さを深くし、かつ、短チャネル効果の抑制が可能なMOS型電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板10と、チャネル形成領域の上層に形成されたゲート絶縁膜22およびゲート電極30と、ゲート電極30の両側部における半導体基板10中に形成された第2導電型の高濃度不純物含有領域12と、高濃度不純物含有領域12のチャネル形成領域側における半導体基板10中に形成された第2導電型の低濃度不純物含有領域11と、チャネル形成領域において半導体基板10中に形成された第1導電型不純物を含有するパンチスルー防止層とを有し、高濃度不純物含有領域12の接合面および低濃度不純物含有領域11の接合面が、パンチスルー防止層の第1導電型不純物濃度の極大位置Cよりも深く形成されている構成とする。

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を有する第1導電型の半導体基板と、前記チャネル形成領域の上層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上層に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側部における前記半導体基板中に形成された第2導電型の高濃度不純物含有領域と、前記高濃度不純物含有領域の前記チャネル形成領域側における前記半導体基板中に形成された第2導電型の低濃度不純物含有領域と、前記チャネル形成領域において前記半導体基板中に形成された第1導電型不純物を含有するパンチスルー防止層とを有し、前記高濃度不純物含有領域の接合面および前記低濃度不純物含有領域の接合面が、前記パンチスルー防止層の第1導電型不純物濃度の極大位置よりも深く形成されている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 604 V

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