特許
J-GLOBAL ID：200903054734149908
半導体デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045999
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流がなく、活性層に効率よく電流を流すことができ、且つ素子容量を小さくできる半導体デバイスを得、高速変調動作の向上を図る。【解決手段】 InP基板31上に第一導電型のクラッド層33、活性層35を順次設ける。活性層35上にリッジストライプ状の第二導電型のクラッド層37を設ける。ストライプ状の高抵抗 InP層41を、リッジの両側で InP基板31に至る深さで埋設して設ける。リッジの両側及び高抵抗 InP層41を絶縁膜43で覆う。電極45を第二導電型のクラッド層37に形成する。この電極45と連設されるワイヤボンディング用の電極46を、高抵抗 InP層41の上に絶縁膜43を介して配設する。
請求項（抜粋）：
InP基板上に順次設けられた第一導電型のクラッド層、活性層と、該活性層上に設けられたリッジストライプ状の第二導電型のクラッド層と、該リッジの両側に設けられ前記 InP基板に至る深さで埋設されたストライプ状の高抵抗 InP層と、前記リッジの両側及び該高抵抗 InP層を覆う絶縁膜と、前記第二導電型のクラッド層に形成される電極と、該電極に連設され前記高抵抗 InP層の上に前記絶縁膜を介して配設されたワイヤボンディング用の電極とを具備することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
, H01L 27/15
H01S 3/18
, G02F 1/015 505
, H01L 27/15 C
