特許
J-GLOBAL ID：200903054738057919
半導体薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076695
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283764
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は磁電変換素子に関するものであり,自動車用ギヤセンサ等の高温用途において,十分な信頼性を有する半導体薄膜磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【構成】 絶縁性基板上にInSbからなる半導体層を設け,この半導体層上に少なくとも磁気抵抗効果を得る部位の両端に50nm以上200nm以下の厚さのクロムからなる第1電極層を設け,この第1電極層上にアルミニウムからなる第2電極層を設けてなる構成とし,またフォトリソグラフィー法により半導体層,第1電極層及び第2電極層を素子形状に加工した後熱処理,あるいは加熱した状態での保護層の形成を行う製造方法とすることにより,高温下においても半導体層に亀裂が生じることがなく,低接触抵抗値の安定な電極層を得られるとともに,熱処理により特性の安定化を行うことができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にアンチモン化インジウムからなる半導体層を設け,この半導体層上の少なくとも磁気抵抗効果を得る部位の両端に50nm以上200nm以下の厚さのクロムからなる第1電極層を設け,この第1電極層上にアルミニウムからなる第2電極層を設けてなる半導体薄膜磁気抵抗素子。
引用特許：
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