特許
J-GLOBAL ID：200903054740905340
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
高田 守
, 葛野 信一
, 高橋 英樹
, 大阿久 敦子
, 平山 淳
, 大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-305352
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140275
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】高い放熱特性を有し、実装基板に配線制約を与えない半導体装置を提供する。【解決手段】封止樹脂4によって封止された半導体チップ1を有する半導体装置で、ダイパッドを兼ねる放熱部5の下面に半導体チップ1を実装する。放熱部5の上面を封止樹脂4の外に露出させる。露出した放熱部5の上面に絶縁層6を形成する。封止樹脂4の底面と略同一面に配置された端子2と、半導体チップ1の電極とが、ワイヤ3により接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
樹脂で封止された半導体チップを有する半導体装置であって、
前記半導体チップを下面に実装する放熱部であって、上面が前記樹脂の外に露出する放熱部と、
前記放熱部の上面に形成された絶縁層と、
前記樹脂の底面と略同一面に配置された端子と、
前記端子と、前記半導体チップの電極とを接続するワイヤと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/34 A
, H01L23/36 A
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BC08
, 5F036BD01
, 5F036BE01
