発光ダイオード装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239156
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074395
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】発光パターンのばらつきがなく、簡単に製造することのできる狭指向性の発光ダイオード装置を提供する。【構成】図(A)に示すように、レジスト31をマスクとしてn型基板21を順メサ形状にエッチングする。次に、レジスト31を除去し、図(B)に示すように、中央部分を除いて窒化シリコン32を形成してから、図(C)に示すように、MOCVD法を用いてn型の第1のクラッド層22、n型の活性層23、p型の第2のクラッド層24を順次積層する。その後、図(D)に示すように、レジスト33を塗布し、第2のクラッド層24の上面a及び順メサ形状の斜面bのレジスト33を除去する。そして、金属を蒸着し、リフトオフ法によりレジスト33を取り除くと、図(E)に示すように、第2のクラッド層24の上面aにはp型電極26が形成され、順メサ形状の斜面bには反射鏡27が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1のクラッド層と活性層とこの第1のクラッド層とは伝導型の異なる第2のクラッド層とがこの順番に形成されたダブルへテロ構造を有する発光ダイオード装置において、前記ダブルへテロ構造の周囲の前記基板上に形成された順メサ形状の斜面に高反射率の金属材料からなる反射鏡を設けたことを特徴とする発光ダイオード装置。

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