特許

J-GLOBAL ID：200903054751463284

半導体装置およびその製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332106
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 銅の微細配線で発生することが判ったエレクトロマイグレーションによる断線不良を銅を供給する補償用パターンを形成することで解決を図る。【解決手段】 第1の配線14と、銅もしくは銅合金からなる第2の銅配線23と、上記配線間に形成した第2、第3の絶縁膜15、19と、第1、第2の配線14、23に達するもので第3の絶縁膜19中に形成した接続孔20と、銅もしくは銅合金からなり第1、第2の配線14、23を接続するもので接続孔20の内部に形成したプラグ24とを備え、銅もしくは銅合金からなりプラグ24に直接に接続するものでプラグ24と第1の配線14との接続部近傍に形成した補償用パターン18を備えたものである。

請求項（抜粋）：

第1の配線と、銅もしくは銅合金からなる第2の銅配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間に形成した絶縁膜と、前記第1の配線と前記第2の配線とに達するもので前記絶縁膜中に形成した接続孔と、銅もしくは銅合金からなり前記第1の配線と前記第2の配線とを接続するもので前記接続孔の内部に形成したプラグとを備えた半導体装置において、銅もしくは銅合金からなり前記プラグに直接に接続するもので前記プラグと前記第1の配線との接続部近傍に形成した補償用パターンを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M

Fターム (50件)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX05