半導体集積回路、半導体不揮発性メモリ、メモリカード及びマイクロコンピュータ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262924
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077283
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】高電圧出力ドライバの高電圧出力状態を切り換えてもブレークダウンを生じ難いMOS集積回路を提供する。【解決手段】高電圧を動作電源とする高電圧出力ドライバ(1)と、高電圧出力ドライバの出力状態を切り換える切り換え回路(2)とを含む。高電圧出力ドライバは、高電圧の電流経路に、直列接続点を出力端子とする第1MOSトランジスタ(M1)と第2MOSトランジスタ(M2)との直列回路を有し、切り換え回路は、第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタの相補的なスイッチ状態を切り換えるとき、オン状態の一方のトランジスタを先にオフ状態に遷移させてから、他方のトランジスタをオン状態に遷移させる。当該他方のMOSトランジスタをオン動作させるときVdsがブレークダウン最小電圧を超えても貫通電流経路が既に断たれているので高電圧出力ドライバにはブレークダウンを生じない。

請求項（抜粋）：

高電圧の印加により選択的に所定動作可能な複数の回路セルがマトリクス配置されたセルアレイと、前記複数の回路セルに高電圧を供給するための複数の信号線と、前記信号線毎に設けられた高電圧出力ドライバと、前記高電圧出力ドライバの出力切り換え回路と、前記高電圧出力ドライバに高電圧動作電源を供給する高電圧発生回路と、を含み、前記高電圧出力ドライバは、前記高電圧の電流経路に、直列接続点を出力端子とする第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタとの直列回路を有し、前記出力切り換え回路は、切り換え指示信号に応答して前記第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタの相補的なスイッチ状態を切り換えるとき、オン状態の一方のトランジスタを先にオフ状態に遷移させてから、他方のトランジスタをオン状態に遷移させる、ものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , G06F 15/78 510 , G06K 19/07 , G11C 11/407

FI (10件)：

G06F 15/78 510 A , G11C 17/00 633 D , G11C 17/00 633 B , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 354 D , G11C 17/00 634 F , G11C 17/00 635 , G11C 17/00 632 D , G11C 17/00 633 E , G06K 19/00 N

Fターム (42件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD03 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AD10 , 5B025AD15 , 5B025AE05 , 5B025AE06 , 5B025AE08 , 5B035AA02 , 5B035AA05 , 5B035AA11 , 5B035BB09 , 5B035CA11 , 5B035CA31 , 5B035CA35 , 5B062CC01 , 5M024AA04 , 5M024AA45 , 5M024AA96 , 5M024BB08 , 5M024BB27 , 5M024BB29 , 5M024BB35 , 5M024BB36 , 5M024CC23 , 5M024CC26 , 5M024CC70 , 5M024DD90 , 5M024FF03 , 5M024FF20 , 5M024GG01 , 5M024HH01 , 5M024PP01 , 5M024PP02 , 5M024PP03 , 5M024PP07 , 5M024PP09 , 5M024PP10

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