特許

J-GLOBAL ID：200903054755517320

半導体レーザの製造方法

発明者： 後藤 修 ,  中村 幸治 ,  中島 徹人 ,  堀川 英明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095489
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288589
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 上側クラッド層およびコンタクト層中に転位が少なく、かつ電流ブロック層中にV字形の溝が生じない半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 第1および第2副電流ブロック層28および30を、基板温度を750〜800°Cの範囲とし、およびV族ガスのホスフィン(PH3 )ガスとIII族ガスのトリメチルインジウム(TMIn)およびトリメチルガリウム(TMGa)との混合比(V族/III族)を400〜800の範囲として形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に下側クラッド層、活性層および上側クラッド層を有するメサ構造を形成した後、該メサ構造の側壁面および該側壁面と連続している裾部の上面に、V族ガスとIII族ガスを用いて有機金属気相成長法により第1および第2副電流ブロック層を順次に形成して埋込型半導体レーザを製造するに当たり、前記第1および第2副電流ブロック層を、基板温度を750〜800°Cの範囲とし、およびV族ガスのホスフィン(PH3 )ガスとIII族ガスのトリメチルインジウム(TMIn)およびトリメチルガリウム(TMGa)との混合比(V族/III族)を400〜800の範囲として形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。