特許

J-GLOBAL ID：200903054756095720

光学結晶薄膜の製造方法及び光変調素子

発明者： 安崎 利明
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148576
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 光変調素子等の光学素子に適用可能で、欠陥、不純物が少なく、緻密且つ均質で結晶性の良好な光学結晶薄膜を比較的低温で製造することができる光学結晶薄膜の製造方法及び光変調素子を提供する。【解決手段】 酸化物の光学結晶薄膜を製造する方法として、酸化物中の金属成分のみを含有する金属ターゲット及び酸素から成る反応性ガスを用いた反応性スパッタリングを採用した。スパッタチャンバ7内に酸素から成る反応性ガスが導入され、形成すべき光学結晶薄膜の酸化物(LiNbO3又はLiTaO3)中の金属成分(Li-Nb混合金属又はLi-Ta混合金属)から成る金属ターゲットから飛来する原料粒子4が、円筒型基板ホルダ2の外周面に取り付けられた基板1に対して堆積して酸化物の光学結晶薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

酸化物の光学結晶薄膜を、該酸化物中の金属成分のみを含有する金属ターゲット及び酸素から成る反応ガスを用いた反応性スパッタリングにより形成することを特徴とする光学結晶薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/03 505 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02B 1/02 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12

FI (6件)：

G02F 1/03 505 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 R ,  G02B 1/02 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 J

Fターム (21件)：

2H047NA02 ,  2H047PA04 ,  2H047QA03 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079DA03 ,  2H079DA27 ,  2H079EA28 ,  2H079KA05 ,  4K029AA09 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01