特許
J-GLOBAL ID：200903054758683352
磁気素子及び磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196658
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 比較的簡易な構成で静磁結合の影響が極めて小さく、単磁区化により磁化反転の感度向上を実現する磁気素子、及びこれを複数備えた低消費電力、高速動作化及び高密度化を実現する磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 磁気素子を、下地磁性層4上に、固定層となる強磁性膜1、絶縁層2、及び自由層となる強磁性膜3を順次積層した構造を主要構成とする強磁性トンネル結合を利用した素子として、強磁性膜3を下部強磁性層11、非磁性導電層12、及び上部強磁性層13を順次積層した構造とする。
請求項（抜粋）：
第1の強磁性膜、絶縁層、及び第2の強磁性膜を順次積層してなる構造を含み、前記第1の強磁性膜及び前記第2の強磁性膜の少なくとも一方は、下部強磁性層、非磁性導電層、及び上部強磁性層を順次積層してなる構造を有することを特徴とする磁気素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/30
5D034BA03
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049GC01
