特許

J-GLOBAL ID：200903054760709407

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 上垣内 寿和 ,  片山 淳子
出願人/特許権者： 株式会社関西新技術研究所
代理人 (1件)： 岡田 正広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024249
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 基板との密着性に優れた緻密な強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 (a)工程:基板2上に強誘電体薄膜を形成可能な感光性組成物3を塗布し、感光層を形成し、所定のパターンの露光を行い、現像することにより、強誘電体形成性組成物層3をパターニングする。(b)工程:前記層3を、塗膜形成性ポリマー組成物5で被覆し、このポリマー組成物被覆を硬化させる。(c)工程:次いで、焼成を行い、ポリマー組成物被覆を実質的に焼失させて、基板上にパターニングされた強誘電体薄膜6を得る。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にパターニングされた強誘電体形成性組成物層を形成し、(b)形成された前記層を、塗膜形成性ポリマー組成物で被覆し、(c)次いで、焼成を行い、ポリマー組成物被覆を実質的に焼失させて、基板上にパターニングされた強誘電体薄膜を得ることを含む、強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 41/24 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C08F 2/46 ,  C08F291/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  C08K 3/26 ,  C08L101/00

FI (9件)：

H01L 41/22 A ,  C08F 2/46 ,  C08F291/00 ,  C08K 3/26 ,  C08L101/00 ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/22 Z

Fターム (72件)：

2C057AF23 ,  2C057AF52 ,  2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP47 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  4J002AB011 ,  4J002BB011 ,  4J002BE011 ,  4J002BE031 ,  4J002BE061 ,  4J002BF011 ,  4J002BG011 ,  4J002BG031 ,  4J002BJ001 ,  4J002CG011 ,  4J002CH021 ,  4J002CK011 ,  4J002CK021 ,  4J002CL001 ,  4J002CP031 ,  4J002DE196 ,  4J002GP03 ,  4J011PA04 ,  4J011PA52 ,  4J011PA64 ,  4J011PA66 ,  4J011PA67 ,  4J011PA68 ,  4J011PA69 ,  4J011PA70 ,  4J011PA74 ,  4J011PA84 ,  4J011PA85 ,  4J011PA89 ,  4J011PA90 ,  4J011PA95 ,  4J011PA96 ,  4J011PA99 ,  4J011PB27 ,  4J011PC02 ,  4J026AA12 ,  4J026AA13 ,  4J026AA25 ,  4J026AA31 ,  4J026AA34 ,  4J026AA38 ,  4J026AA42 ,  4J026AA43 ,  4J026AA45 ,  4J026AA49 ,  4J026AA50 ,  4J026AA52 ,  4J026AA53 ,  4J026AB01 ,  4J026AB02 ,  4J026AB17 ,  4J026AB19 ,  4J026AB28 ,  4J026AB44 ,  4J026BA04 ,  4J026BA20 ,  4J026BA27 ,  4J026BA30 ,  4J026BA32 ,  4J026BA40 ,  4J026DB06 ,  4J026DB08