特許

J-GLOBAL ID：200903054766970549

パワー半導体モジュール

発明者： 大井 健史 ,  高橋 貢 ,  菊永 敏之 ,  堀口 剛司 ,  碓井 修 ,  武藤 浩隆 ,  松田 定 ,  菊池 巧 ,  上貝 康己
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029956
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233699
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 電気的接続の長期信頼性を備えたパワー半導体モジュールを得る。【解決手段】 モジュール内部の配線の電気的接続部において、接続される部材の接合面の周囲にフィレット状の導電性樹脂13を設けた。

請求項（抜粋）：

ケース内にパワー半導体チップを設けたパワー半導体モジュールにおいて、電気的接続部分にフィレット状の導電性樹脂を設けたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/48 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 23/48 G ,  H01L 29/78 652 Q