窒素化合物結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235721
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053487
出願日： 1996年08月03日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【目的】閃亜鉛鉱型結晶構造をもつ窒素化合物半導体およびその混晶によるデバイス作製のために、導電性と劈開性をもつGaP等の結晶基板上にこれらの結晶層、ヘテロ構造、選択成長を可能とする製造技術を目的とする。【構成】As化合物よりもN化合物の方が化学的に安定であることを利用し、最も安定なGaP基板1上のAs化合物結晶層2aあるいはその混晶層とアンモニアガス3とを接触させ、2の層を構成するAs原子と窒素原子の置換反応によって、結晶形を保存したまま、窒素化合物2cおよびその混晶の半導体層を形成する。この時、生成される窒化物結晶は、もとのAs化合物と同様の閃亜鉛鉱型の結晶構造と結晶方位をとる。2の層のAs化合物層をヘテロ構造としたり、パターンを形成しておくと、そのままの構造で窒化物に変換が可能であり、窒化物半導体デバイスの基本構造が容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

燐化ガリウム(GaP)基板上にIII族元素であるアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびインジウム(In)のうちの少なくても1種類の元素との砒素化合物結晶層を成長させた後、アンモニアガス雰囲気中で熱処理することにより、当該結晶層に含まれる砒素とアンモニアガスから供給される窒素とを入れ替えて、燐化ガリウム基板上にIII族元素の窒素化合物結晶層を作製することを特徴とする窒素化合物結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 19/00 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (4件)：

C30B 19/00 Z , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 3/18

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