特許
J-GLOBAL ID:200903054773880121
表面処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野口 武男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-201395
公開番号(公開出願番号):特開2000-034571
出願日: 1998年07月16日
公開日(公表日): 2000年02月02日
要約:
【要約】【課題】大面積の基板に対して均等に且つ高速でプラズマ処理を施すことができる表面処理装置を提供する。【解決手段】ケーシング(2) はプラズマ発生電極(5,5′) を備えたプラズマ発生室(3) と、基板支持台(8) を備えた基板処理室(4) との二室に画成されている。前記室(3,4) の隔壁を構成する電極(5′) には複数のプラズマ吹出口(6) が形成されている。このプラズマ吹出口(6) は、1≧プラズマ吹出方向寸法(L) /最小断面積をとる部位での開口巾寸法(d) となり、且つ隔壁の面積、即ち前記プラズマ吹出口(6) の最小断面積の総和Sn /前記電極(5′) の面積Sp ≦1/3となるノズル形状を有しているため、複数の吹出口(6) の全てからプラズマが均等に吹き出される
請求項(抜粋):
プラズマ発生手段、原料ガス導入口、及び基板支持台を備えたケーシング内に、前記プラズマ発生手段によりプラズマを発生させて原料ガスをプラズマ化し、前記基板支持台上に載置された基板表面をプラズマ処理する表面処理装置であって、前記ケーシングは、複数のプラズマ吹出口を有する隔壁を介して、前記プラズマ発生手段を備えたプラズマ発生室と、前記基板支持台を備えた基板処理室との二室に画成され、前記プラズマ吹出口は、1≧L/d 且つ Sn /Sp ≦1/3L :前記プラズマ吹出口のプラズマ吹出方向寸法d :前記プラズマ吹出口の最小断面積をとる部位での開口巾寸法Sp :前記隔壁の面積Sn :前記プラズマ吹出口の最小断面積の総和の関係を満足するプラズマ吹出方向に同一断面又は異なる断面をもつノズル形状を有してなることを特徴とする表面処理装置。
IPC (3件):
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
FI (3件):
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
Fターム (25件):
4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030GA02
, 4K030KA30
, 5F045AA08
, 5F045AA10
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045AF07
, 5F045AF10
, 5F045BB02
, 5F045EE06
, 5F045EF05
, 5F045EF07
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH09
, 5F045EH11
, 5F045EH13
, 5F045EH16
, 5F045EH18
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