特許
J-GLOBAL ID：200903054774768236
シリコン単結晶の引上げ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279170
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【目的】 結晶の多結晶化を防止でき、生産効率を高めることが可能な引上げ装置を提供する。【構成】 石英るつぼ内にシリコン融液を保持し、上から吊り下げた種結晶を前記シリコン融液に浸し、シリコン単結晶を引き上げるにあたり、石英るつぼのシリコン融液の液面位置を常に同一高さに保持するようにしたシリコン単結晶の引上げ装置において、前記石英るつぼを黒鉛るつぼを介して下側から支えるサポートの外周に、裾先がヒータに近接するスカート状の断熱部を設けた。また、この場合、断熱部を、黒鉛か、窒化珪素、炭化珪素及びシリコンカーバイトファイバ含有のセラミックスか、カーボンファイバか、若しくはこれらの組合わせから構成した。
請求項（抜粋）：
石英るつぼ内にシリコン融液を保持し、上から吊り下げた種結晶を前記シリコン融液に浸し、シリコン単結晶を引き上げるにあたり、石英るつぼのシリコン融液の液面位置を常に同一高さに保持するようにしたシリコン単結晶の引上げ装置において、前記石英るつぼを黒鉛るつぼを介して下側から支えるサポートの外周に、裾先がヒータに近接するスカート状の断熱部を設けたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。
IPC (2件)：
C30B 15/12
, C30B 29/06 502
