特許
J-GLOBAL ID：200903054776292247
太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281044
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135329
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 空乏層のポテンシャル勾配の影響を無くして変換効率を高めることができる太陽電池およびその製造方法を提供する。【構成】 p型Si基板1の一方の面に、略全面に形成されたn+層2と、n+層2の表面に所定のパターンで設けられた電極4を有する。n+層2の表面側で電極4直下の領域に、n+層2の不純物濃度よりも高不純物濃度で、かつ、n+層2の深さよりも浅いか又は同一の深さを持つn++領域2′を備える。このn++領域2′は、イオン注入法により形成する。
請求項（抜粋）：
p型Si基板の一方の面に、略全面に形成されたn型不純物層と、上記n型不純物層の表面に所定のパターンで設けられた電極を有する太陽電池において、上記n型不純物層の表面側で上記電極直下の領域に、上記n型不純物層の不純物濃度よりも高不純物濃度で、かつ、上記n型不純物層の深さよりも浅いか又は同一の深さを持つ高濃度n型不純物領域を備えたことを特徴とする太陽電池。
引用特許：
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