特許

J-GLOBAL ID：200903054779430055

半導体装置の製造方法

発明者： 結城 知弘
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148677
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、良好な電気特性を備えた接合を制御性良く形成することを目的とする。【構成】 接合形成に際して、まず導電性に寄与しないイオンを結晶領域に対しイオン注入し、基板の表面から一定の深さD1まで非晶質化する。次に該結晶領域の導電型とは反対の導電性を付与する不純物イオンを、単独に該結晶領域にイオン注入した場合に前記D1より浅い深さD2の非晶質層を形成する条件下で、D1より深い深さD3の実効的不純物分布を形成するようにイオン注入する。この後、アニールを行い、非晶質層を再結晶化するとともに、不純物を活性化する。

請求項（抜粋）：

導電性に寄与しないイオン種を基板内の第1導電型の結晶領域に対しイオン注入し、該結晶領域の表面から深さD1までの非晶質層を形成する第1の工程と、前記第1導電型と逆の第2導電型の導電性を付与する原子量もしくは分子量が16以上の不純物を、D1より深い実効的不純物分布深さの不純物分布領域を形成するように前記非晶質層を通してイオン注入する第2の工程と、該基板を加熱して前記非晶質層を再結晶化し前記不純物を活性化して、第2導電型領域を形成する第3の工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記深さD1が、前記導電性を付与する不純物を前記第2の工程と同一条件で前記結晶領域にイオン注入した場合に形成される非晶質層深さD2よりも深く、前記導電性を付与する不純物を前記第2の工程と同一条件で表面に非晶質層が形成された基板にイオン注入した場合に形成される実効的不純物分布深さD3よりも浅いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/76 R