特許
J-GLOBAL ID：200903054779760071
エピタキシャルウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231025
公開番号（公開出願番号）：特開平7-062523
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：
【要約】【目的】エピタキシャル層中の微小欠陥(レーザー散乱体)を低密度にする事で、酸化膜耐圧が十分に高く、P-N接合リ-クも少なく、したがってデバイスの歩留りを向上することができる高品質エピタキシャルウェーハを提供する。【構成】基板上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル層の全域において、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェーハにおいて、前記エピタキシャル層の全域において、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
引用特許：
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