高品質GaN系層の選択成長方法、高品質GaN系層成長基板および高品質GaN系層成長基板上に作製した半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275693
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326750
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 GaN層に発生するストレスを低減するための選択成長において、比較的平坦な表面を有しかつ結晶欠陥が低減されたGaN層の選択成長方法を提供する。【解決手段】 GaN層の選択成長中に、GaN層中に所定の間隔でAlN薄層を適宜介在積層する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した誘電体マスクにより露出された上記基板の露出面に、選択的に下記式(I)式:Ga<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>In<SB>z</SB>N (I)(但し、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表されるGaN系層を成長するにあたり、上記GaN系層と、下記式(II)式:Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N (II)(但し、0.7<x≦1)で表されるAlN系薄層とを交互に成長させる工程を備えることを特徴とする高品質GaN系層の選択成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C

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