特許
J-GLOBAL ID：200903054781797993
酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135053
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330051
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 下地である絶縁層とのエッチング比を高くした酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 絶縁層3の上に成膜された酸化バナジウム膜4をプラズマエッチングする際、フッ素原子数6以上のフッ化物ガスを体積比で10%以上含むエッチングガスを用いる。これにより、絶縁層3と酸化バナジウム膜4とのエッチング比が大きく異なる。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に成膜された酸化バナジウム膜をプラズマエッチングする際、フッ素原子数6以上のフッ化物ガスを体積比で10%以上含むエッチングガスを用いることを特徴とする酸化バナジウム膜のプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, G01J 1/02
