特許

J-GLOBAL ID：200903054786262109

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 長 岡 正 見
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051571
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259191
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【構成】 ソース領域12及びドレイン領域13とゲート電極直下のチャネル形成領域16との間の導電領域14,15が、GaAsと格子整合するInGaP抵抗低減膜19,20により被覆された構造を有する。上記In0.48の組成を有するInGaPでは、バンドギャップが1.89eVと大きく、GaAsに対する伝導帯端不連続ΔEcは0.22eV(図2参照)である。このため、適当な厚さ、電子濃度を有するn型InGaPを用いることにより、InGaP/GaAs界面に電子の蓄積を生ずることとなる。【効果】 短チャネル効果やゲートリーク電流の増大を招くことなくソース、ドレイン間抵抗の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板表面部に設けられた導電領域と、該導電領域の一部からなるチャネル形成領域上に設けられたゲート電極と、前記GaAs基板内であって前記導電領域の一方の側に前記ゲート電極と接することのないように設けられ、前記導電領域より低抵抗のソース領域と、前記GaAs基板内であって前記導電領域の他方の側に前記ゲート電極と接することのないように設けられ、前記導電領域より低抵抗のドレイン領域と、前記ゲート電極に隣設され前記導電領域における前記チャネル形成領域以外の部分を被覆し該導電領域のGaAsと格子整合するInGaPからなる抵抗低減膜とを備えている電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-096770
  
• 特開平1-268071
  
• 特開平2-000330