特許
J-GLOBAL ID：200903054791584289
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084644
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 Ni系基板との密着性が高く、エッチングにおけるサイドエッチ量が少なく、且つ微細なパターンを精度よく忠実に基板に形成することが可能なレジスト組成物及びそれを用いて基板に微細パターンを形成する方法を提供すること。【解決手段】(a)アルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、及び(c)特定の有機リン化合物を含有するポジ型レジスト組成物、及びこのポジ型レジスト組成物の塗膜を基板上に形成し、露光及び現像により形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして基板をエッチングして基板上に所定パターンを形成する方法が提供される。
請求項（抜粋）：
(a)アルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物、及び(c)下記式(I)〜(VIII)で表される化合物群から選択される少なくとも1種のリン化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】【化2】ここで、X1、X3、X4、X5及びX6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し;X2は、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、炭素数6〜9の置換もしくは未置換のフェニル基、又は炭素数7〜10の置換もしくは未置換のベンジル基を示し;X7、X8及びX9は、同一又は異なって、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、アミノ基、炭素数6〜9の置換もしくは未置換のフェニル基、炭素数7〜10の置換もしくは未置換のベンジル基、又は炭素数6〜9の置換もしくは未置換のフェノキシ基を示し;X10、X11、及びX13は、同一又は異なって、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、アミノ基、又は炭素数6〜9の置換もしくは未置換のフェニル基を示す。
IPC (5件)：
G03F 7/022
, G03F 7/004 501
, G03F 7/085
, G03F 7/09 501
, H01L 21/027
G03F 7/022
, G03F 7/004 501
, G03F 7/085
, G03F 7/09 501
, H01L 21/30 502 R
