特許
J-GLOBAL ID：200903054794814900
スパッタリングタ-ゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002677
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204467
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度の早期安定化を実現したもので、スパッタリングターゲットの使用開始のごく初期の段階から安定した成膜速度となるようにする。【解決手段】 スパッタリングターゲットのエロージョンされる面を精密機械加工により加工変質層を低減した後、エッチングにより加工変質層を除去し、さらに前記ターゲットのエロージョンされる面の中心線平均粗さRaで規定される表面粗さをターゲットを構成する金属原子の平均結晶粒径の0.1%から10%の範囲となるようにエッチング時間を調整する。
請求項（抜粋）：
スパッタリングターゲットのエロージョンされる表面に機械加工による加工変質層が実質的になく、さらにその面の中心線平均粗さ(Ra)で規定される表面粗さが、ターゲットを構成する素材の平均結晶粒径の0.1%から10%であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
FI (2件)：
C23C 14/34 B
, C23C 14/34 A
4K029BA17
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC07
, 4K029DC12
