特許
J-GLOBAL ID:200903054801758051
半導体レーザ素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-134941
公開番号(公開出願番号):特開2003-332674
出願日: 2002年05月10日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、端面の熱伝導性を向上させ、出力および信頼性を高める。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、n-Ga1-z1Alz1As下部クラッド層12、i-In0.49Ga0.51P下部光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層14、i-In0.49Ga0.51P上部光導波層15、p-Ga1-z1Alz1As上部第一クラッド層16、p-In0.49Ga0.51Pエッチング阻止層17、p-Ga1-z1Alz1As上部第二クラッド層18、p-GaAsコンタクト層19、絶縁膜20、p側電極21、n側電極22を形成する。共振器端面の一方に膜厚λ/4のAl2O3からなる低反射膜14を形成し、他方の端面に、反射率95%以上のλ/4酸化物の積層物からなる高反射膜13(Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2/Al2O3/SiO2)を形成する。反射膜において、積層体側から第1層であるAl2O3の表面粗さを3nm以下とする。
請求項(抜粋):
発光層および導波層を含む半導体の積層体からなり、該積層体の共振器端面に酸化物からなるパッシベーション膜を備えた半導体レーザ素子において、前記パッシベーション膜の前記積層体側から第1層の表面粗さが3nm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (7件):
5F073AA83
, 5F073CA07
, 5F073CA13
, 5F073CB20
, 5F073DA33
, 5F073EA24
, 5F073EA28
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