特許

J-GLOBAL ID：200903054808172907

歪量子井戸半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349971
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160514
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 高出力発振が可能で、且つ光ファイバーと高い結合効率が得られる歪量子井戸半導体レーザ素子を提供する。【構成】 InGaAsから成る歪量子井戸活性層と、歪量子井戸活性層を挟持し、且つInGaPから成るクラッド層4,13と、歪量子井戸活性層上にGaAsより成るエッチング停止層9と、少なくとも1層がInGaPから成る複数の半導体層によって形成された電流阻止層10,11とが積層され、電流阻止層10,11の長手方向に形成されたストライプ状の溝17の内面、および電流阻止層11上に電流阻止層10,11よりも屈折率の高いAlx Ga1-x As(0≦x≦0.3)から成る光導波路層12が設けられていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

InGaAsから成る歪量子井戸活性層と、該歪量子井戸活性層を挟持し、且つInGaPから成るクラッド層と、前記歪量子井戸活性層上にGaAsから成るエッチング停止層と、少なくとも1層がInGaPから成る複数の半導体層によって形成された電流阻止層とが積層され、該電流阻止層の長手方向に形成されたストライプ状の溝の内面、および前記電流阻止層上に、該電流阻止層よりも屈折率の高いAlx Ga1-x As(0≦x≦0.3)より成る光導波路層が設けられていることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ素子。