特許

J-GLOBAL ID：200903054809471541

電界効果トランジスタ

発明者： 荒牧 晋司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (3件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  星野 哲郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015057
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228371
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】本発明は、有機半導体材料を用いた電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び/又はドレイン電極から半導体層へのキャリアの流れをスムーズにすることのできる電界効果トランジスタを提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、半導体層として有機半導体材料からなる有機半導体膜を有する電界効果トランジスタであって、前記有機半導体膜において、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成する領域における酸化型又は還元型のいずれかの導電性付与剤の濃度分布が他の領域におけるものと異なることを特徴とする電界効果トランジスタを提供することにより上記目的を達成するものである。【選択図】 無し

請求項（抜粋）：

半導体層として有機半導体材料からなる有機半導体膜を有する電界効果トランジスタであって、前記有機半導体膜において、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方を構成する領域における酸化型又は還元型のいずれかの導電性付与剤の濃度分布が他の領域におけるものと異なることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27