特許

J-GLOBAL ID：200903054815546197

中間金属層形成プロセスおよび該プロセスによって形成される素子

発明者： ロバート・ダブリュ・フォーダリス ,  スタンレイ・エム・フィリッピーク ,  ジョンソン・オルフェミ・オロウォラフェ ,  ヒサオ・カワサキ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048001
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267948
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 従来より低い温度でしかも未反応物を残すことなく中間金属層を形成するプロセス、および当該プロセスによって形成された半導体素子を提供する。【構成】 本発明は、中間金属層(31,32)を形成するプロセス、およびそのプロセスによって形成された素子から成る。前記プロセスは、金属含有層(21,22)が金属含有気体と反応する反応ステップを含む。前記層内の金属と気体中の金属は異なるものである。本発明の一実施例では、チタン・アルミナイドを配線の側部に形成することができる。前記プロセスは、炉、高速熱処理器、プラズマ・エッチング装置、およびスパッタ付着機械のような種々の機器において行うことができる。中間金属層(31,32)を形成する反応は、典型的に、基板が摂氏700°以下である間に行われる。

請求項（抜粋）：

基板(10)上に中間金属層(31,32)を形成するプロセスであって:前記基板(10)上に第1金属層を含む層(21,22)を形成するステップ;および前記層を気体と反応させ、前記中間金属層(31,32)および気体生成物を形成するステップとから成り、前記気体は前記第1金属とは異なる第2金属を含み、前記基板は前記反応ステップ中摂氏700°以下の温度であることを特徴とするプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-034939
  
• 特開平2-312236
  
• 特開昭63-143842
  
• 特開平4-107954
  
• 特開平2-278827