半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061878
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258120
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】駆動電圧が異なる高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタとを同一基板に有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)第1導電型の半導体基板10の所定領域に第2導電型の不純物を導入して、第1不純物層20aおよび第2不純物層30aを形成し、(b)第2不純物層の領域に、第2導電型の不純物をさらに導入して第3不純物層30bを形成し、(c)熱処理により、第1不純物層20aおよび第3不純物層30bの不純物を拡散させて、第2導電型の第1ウェル20と、該第1ウェル20より不純物濃度の高い第2導電型の第2ウェル30とを形成すること、を含む。

請求項（抜粋）：

(a)第1導電型の半導体基板の所定領域に第2導電型の不純物を導入して、第1不純物層および第2不純物層を形成し、(b)前記第2不純物層の領域に、第2導電型の不純物をさらに導入して第3不純物層を形成し、(c)熱処理により、前記第1不純物層および前記第3不純物層の不純物を拡散させて、第2導電型の第1ウェルと、該第1ウェルより不純物濃度の高い第2導電型の第2ウェルとを形成すること、を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 21/76 , H01L 21/761 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/08 321 E , H01L 21/76 M , H01L 21/76 S , H01L 21/76 J

Fターム (22件)：

5F032AA13 , 5F032AC01 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032CA25 , 5F032DA43 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BC02 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE06 , 5F048BG12 , 5F048BH07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131757 出願人：ローム株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-041454 出願人：シャープ株式会社
特開平1-276662

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